СТМ исследования поводения адатомов Ge на поверхности Si(111)-5,55х5,55-Cu
Название
СТМ исследования поводения адатомов Ge на поверхности Si(111)-5,55х5,55-Cu
Тип материала
Доклады
Год
2008
Авторы ВВГУ
- Зотов Андрей Вадимович
Журнал
Материалы XII-й межрегиональной конференции молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов «ПДММ’2009»
Документы для скачивания